存储企业铠侠与闪迪近日正在评估于美国境内建设NAND闪存制造工厂的可行性。此举被认为是对美日两国推动半导体产业链本土化政策的回应。目前，两家公司联合运营的NAND晶圆生产基地均设在日本四日市和北上市，尚未在海外布局相关产能。全球范围内，约九成的NAND闪存生产能力集中在东亚地区，供应链区域集中度较高。
值得关注的是，尽管三星电子、SK海力士以及美光等主要存储厂商已公布在美国的投资建厂计划，但这些项目大多聚焦于DRAM或其他半导体产品，尚未涉及NAND闪存的大规模生产。因此，若铠侠与闪迪确推进赴美建厂，将在该领域形成新的战略布局，填补当前市场空白。
然而，在美国落地半导体制造项目仍面临多重挑战。此前已有案例显示，部分企业在当地建设晶圆厂过程中遭遇工期延误、人力短缺及工程协调困难等问题。例如，一家国际代工企业在亚利桑那州的建设项目自宣布到正式动工间隔近一年，后续量产时间亦较原定计划明显推迟，反映出美国本土在高端制造配套体系和人才储备方面仍存在短板。
业内分析认为，即便此次建厂计划得以确认，从厂址选定、审批流程、设施建设到设备安装调试，整个周期预计需要三至五年时间。因此，在未来两到三年内，全球NAND闪存的供应结构不会发生显著变化，现有生产格局仍将主导市场，新产能短期内无法对供需关系产生实质影响。
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