
三星电子近期对高带宽存储器(HBM)研发组织架构作出调整,原属半导体业务部门下设的HBM开发团队被撤销,其全部人员整体并入DRAM开发室。此次变动引发外界对该公司在HBM领域发展策略及内部资源整合效率的关注。
调整后,原HBM团队成员将归属于DRAM开发室内的设计团队,继续承担下一代HBM产品的技术开发与研发任务。此前负责领导HBM团队的孙永洙,现已出任该设计团队负责人,全面主导包括HBM4、HBM4E在内的新一代产品在设计优化与工艺验证方面的推进工作。据悉,相关组织整合预计于本周内完成,公司计划在下月初召开全球战略会议,审议2026年度整体业务布局。
近年来,三星持续强化在HBM领域的投入力度,已与多家国际科技企业建立合作关系。依托在HBM3及HBM3E产品上的量产经验,公司在芯片堆叠封装、数据传输带宽、功耗控制以及运行可靠性等方面不断提升技术水平。业内分析指出,将HBM研发职能纳入DRAM整体体系,有利于在制程升级、设计验证及大规模生产等关键环节实现更高效的协同运作,进一步增强产品竞争力。