11月28日，据社交平台发布的信息显示，台积电在本月25日于荷兰阿姆斯特丹举行的2025年开放创新平台生态系统论坛欧洲场活动中，分享了其对首代定制化HBM内存的技术展望。相关内容由参与活动的业内人士通过图片形式披露。
台积电指出，定制化HBM技术预计将在HBM4E时代实现量产落地，并将其对应产品命名为C-HBM4E。这一观点与行业其他主要厂商的看法趋于一致。在HBM4阶段，台积电曾为市场提供两种不同制程的基础裸片方案，分别面向主流应用的N12FFC+以及针对高性能需求的N5工艺。
进入C-HBM4E阶段，为实现更高集成度并满足计算芯片对面积优化的需求，台积电将采用N3P先进制程作为基础裸片解决方案，该方案支持将内存控制器直接集成至基础裸片中。公司表示，此举可使能效水平达到当前HBM3E基础裸片的约两倍。同时，C-HBM4E的工作电压将进一步下探至0.75V，相较HBM4版本实现进一步降低，有助于提升整体系统的功耗表现。
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