全球内存短缺将持续至2028年，产能扩张难解供需失衡困局

全球内存供应紧张的局面预计将持续到2028年之后。市场约七成份额由两家韩国企业主导，近期双方相继释放信息，表明短期内难以大幅提升产能以缓解当前的供需矛盾。

其中一家企业在近期举行的投资者交流活动中表示，公司将采取兼顾客户需求与市场价格的资本支出策略，旨在降低未来出现供应过剩的风险。该企业代表强调：“我们不会急于扩大产能，而是更注重长期盈利能力的战略布局。”目前，其DRAM产品的交付量仅能满足整体订单需求的七成左右。面对客户希望通过长期协议锁定价格的合作意愿，该公司也表现出谨慎态度，指出在价格持续上涨的背景下，不愿过早将产能与特定客户绑定。

另一家企业则展现出相对积极的扩产意向，计划在2026年将销售额的约三成用于产能投资，并加快向1c纳米制程过渡。不过该公司也明确指出，即便如此，要真正扭转供应短缺的现状仍面临较大挑战。

行业研究数据显示，2026年全球内存产量预计增长23%，但同期市场需求增幅预计将达35%，供需缺口将进一步扩大。此外，一家美国主要存储制造商已宣布将在日本建设新的DRAM生产基地，投资规模接近百亿美元，但该项目预计最早于2028年下半年才能实现量产。

技术分析机构认为，受制于产能建设周期和技术演进节奏，内存市场的供应压力难以在短期内缓解，整体紧张态势或将延续至2028年后。

业内观察指出，当前存储厂商普遍面临战略抉择难题：一方面人工智能技术快速发展带来强劲需求，另一方面若因短期短缺而过度扩张产能，一旦技术热潮减退，行业可能陷入供应严重过剩、利润大幅下滑的局面。

这也意味着，在人工智能应用持续繁荣的背景下，存储芯片维持高价或将成为常态。有观点认为，除非AI发展势头出现明显回落，否则市场难以通过自然调节实现供需平衡，价格回归常态的时间点也因此充满不确定性。