DRAM与NAND价格飙升近倍 供需失衡恐持续至2028年

十铨科技总经理陈杰表示，进入12月以来，DRAM与NAND产品的合约价格再度大幅上涨，涨幅接近一倍。作为内存、固态存储及闪存领域的重要企业，公司并不看好短期内市场状况会出现改善。据分析，供应紧张与价格攀升的趋势将持续发酵，并可能在2026年上半年进一步加剧。

主要原因在于，未来一段时间内，现有渠道库存将被逐步消耗，而新产能无法及时补位，导致从人工智能、智能手机到个人电脑等多个科技领域在资源调配和原材料采购方面面临更大压力。当前本已严峻的供需失衡局面，或将迎来更艰难的阶段。陈杰预估，市场价格有望在2027年趋于稳定，但若外部条件变化，恢复时间也可能推迟至2028年。

即便终端厂商愿意承担高昂成本，也难以确保获得足够货源，因整体供应能力受限，而下游需求仍在持续增长。这一前景令人担忧，尤其考虑到即便是行业头部制造商，若今日启动新建内存产线，从建设到量产仍需多年周期，远水难解近渴。

内存产能紧张的背后因素已较为明确：DRAM生产商正将更多产线转向用于AI与云计算系统的高带宽内存HBM。随着AI基础设施的大规模部署与数据中心的持续升级，对先进存储技术的需求急剧上升，进而挤压了传统消费类产品的产能空间。

由于PC、手机及其他消费电子设备所分配到的产能有限，存储与内存价格的剧烈波动正全面冲击消费科技产业。如同大宗商品般受市场供需影响的DRAM价格，近期已推动台式机DDR内存模组价格出现显著上涨。