三星研发新型NAND闪存功耗降低超90%

11月27日，三星宣布其研发团队在存储技术领域取得关键进展，成功开发出一种新型NAND闪存结构，可将功耗降低超过90%。这一突破有望对未来的人工智能数据中心、移动终端及其他依赖存储芯片的设备产生深远影响。

此次技术由三星先进技术研究院主导完成，创新性地将铁电材料与氧化物半导体相结合，构建出全新的存储架构。相关研究成果已刊登于国际权威科学期刊自然，标志着该成果获得学术界的广泛认可。

NAND闪存作为主流的非易失性存储介质，具备断电后仍能保留数据的特性，广泛应用于各类电子设备中。其数据写入依赖于向存储单元注入电子，而为提升存储密度，行业普遍采用多层堆叠工艺。然而，随着堆叠层数增加，读写操作的能耗也随之上升，尤其在大规模数据中心场景下，高功耗已成为制约性能提升的核心挑战之一。

三星研究团队此次实现了关键技术突破。传统上，氧化物半导体因阈值电压不稳定被视为难以驾驭的材料，但研究人员通过将其与铁电结构协同设计，反而利用这一特性实现更高效的控制。铁电材料具有自维持极化能力，可在无需持续供电的情况下保持状态，从而大幅降低操作所需的能量消耗。

得益于这一全新架构，新型NAND闪存在读写过程中的功耗较现有技术最高可减少96%。该项目完全由三星自主完成，凝聚了来自三星电子先进技术研究院与半导体研究所共34名科研人员的心血。

“我们已经证明了超低功耗NAND闪存的技术可行性。”项目第一作者、三星电子先进技术研究院研究员柳志正表示，“随着人工智能生态的快速发展，存储器的重要性日益凸显。接下来，我们将持续推进相关研究，致力于推动该技术走向实际应用。”

在技术突破的同时，三星也在积极优化存储业务的运营策略。面对DDR5、LPDDR5X以及GDDR7等高性能DRAM产品市场需求持续增长、价格稳步上行的环境，公司正进一步聚焦高附加值产品的产能配置，以增强整体盈利能力，巩固技术与市场的双重领先地位。