2025-12-28 11:06:28

铠侠2026年量产332层BiCS10 NAND,布局高端企业与消费市场

摘要
铠侠计划于2026年启动下一代BiCS10 3D NAND闪存的量产,以满足大容量企业级固态硬盘的市场需求。该技术采用332层堆叠结构,支持4 8Gbps

铠侠2026年量产332层BiCS10 NAND,布局高端企业与消费市场

铠侠计划于2026年启动下一代BiCS10 3D NAND闪存的量产,以满足大容量企业级固态硬盘的市场需求。该技术采用332层堆叠结构,支持4.8Gbps的I/O接口速率,其位密度相较当前主流的BiCS8提升达59%。根据规划,承担BiCS10量产任务的将是位于岩手县北上市的新建Fab 2晶圆厂。

此外,公司预计在2025财年末开始投产BiCS9 NAND闪存。该产品基于现有的BiCS5与BiCS8存储阵列,通过应用CBA技术优化外围电路设计,从而实现性能提升。BiCS9的生产将由位于三重县四日市的工厂负责,主要面向智能手机等消费类电子产品市场。

科技趋势
时事资讯
回顶部